BAS20【PDF 2/3 页】DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

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—

2007

Fairchild

Semiconductor

Corporation

www.fairchildsemi.com

BAS20

Rev.

1.0.0

Mechanical

Dimensions

SOT-23

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BAS20 /T3 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

BAS20 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:

BAS20 RFG 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000

BAS20 T/R 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

BAS20,215 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

BAS20,235 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

BAS20 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOT-23

BAS20/E8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCH DIODE, 200V, 200mA, SOT-23, Diode Type:Small Signal, Forward Current If(A

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